DDR3与DDR4内存有什么区别？

1、容量变化

DDR4内存采用了差分信号技（DiffrentialSignaling）术和三维堆叠技术（3DS）。DDR4内存既采用了传统的SE信号，还采用了差分信号技术，传统的SE信号传输机制在高频率下信号容易受到干扰，而差分信号技术采用两条线路来传送一个信号，大大增加了抗干扰能力。它用来增大单颗芯片的容量。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到DDR3产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

2、内存功耗

内存功耗方面，DDR4内存的工作电压进一步降低达到了1．2V，相比DDR3内存的1．5V工作电压也降低了不少。功耗的降低能够使得内存降低用电量和发热，以达到提升内存条的稳定性，基本不会出现发热引起的降频现象。

3、内存频率与带宽

DDR4内存的工作频率从2133MHZ起步，最高可达4266MHZ，相比DDR3内存工作频率、内存时序有着较大的提升。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps（256MB／s）的带宽，DDR4－3200那就是51．2GB／s，比之DDR3－1866高出了超过70％。

4、外观变化

历代内存金手指一直都是直线型的，直到DDR4内存之后，金手指的设计为中间稍突出，而边缘收矮的形状，这种设计的好处局势，以保障DDR4内存金手指与内存插槽触点有足够的接触面，确保信号传输稳定，同时也解决了内存难以拔出和难以插入的问题。而DDR4内存金手指中间的缺口（防呆口）位置相比DDR3更加靠近中间。

在金手指触点数量方面，DDR4内存有284个，而DDR3内存则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0．85mm。

DDR4和DDR3兼容吗？

由于DDR3和DDR4金手指设计的差异，加之防呆口位置的不同，所以两者是无法兼容的。

接下来给大家介绍一款雷克沙的DDR4内存条。

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